Результаты поиска:IRLR7843TR
Найдено: 12- С даташитом12
- Производителей6
Результаты поискаВсего: 12
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK | Даташит3 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит9 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟道，30V，95A，2.9mΩ@10.0V,30A，1.5V@250μA；用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。 | Даташит4 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达120A，专为高功率、大电流应用场景设计，如电源转换器和电机控制器，提供卓越的开关性能与低损耗优势。 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗 | Даташит7 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V； | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | TO252；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V； | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.