VBsemi(微碧半导体)Китай
IRLR7843TRPBF&-2-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO252；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока120 A
Сопротивление в открытом состоянии2.3 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V,38.8A |
| 数量 | 1个N沟道 |