HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
IRLR7843TRPBF-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达120A，专为高功率、大电流应用场景设计，如电源转换器和电机控制器，提供卓越的开关性能与低损耗优势。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока120 A
Сопротивление в открытом состоянии3 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V,20A |
| 数量 | 1个N沟道 |