JSMSEMI(杰盛微)Китай
IRLR7843TRPBF-JSM
Transistors - FETs, MOSFETs - Single便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока150 A
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 150A |
| Другое | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
Документы
DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.5 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
Центр документации