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- IRLR7843TR
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
- IRLR7843TR
Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
- IRLR7843TRRPBF
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
- IRLR7843TRPBF
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
- IRLR7843TRLPBF
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
- IRLR7843TR(UMW)
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRLR7843TRPBF-ES
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N沟道，30V，95A，2.9mΩ@10.0V,30A，1.5V@250μA；用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- IRLR7843TRPBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。
- IRLR7843TRPBF-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达120A，专为高功率、大电流应用场景设计，如电源转换器和电机控制器，提供卓越的开关性能与低损耗优势。
- IRLR7843TRPBF-JSM
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
- IRLR7843TRPBF&3-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- IRLR7843TRPBF&-2-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO252；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
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