Результаты поиска:FDP100N10
Найдено: 5- С даташитом3
- Производителей4
Результаты поискаВсего: 5
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | ||||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | TO220；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V； | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，其导通电阻（RDS(ON)）典型值为8.5毫欧。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于高电流、高频率的开关应用，如电源管理模块、电机控制电路及各类高效能电力电子转换系统，能够在严苛电气条件下保持稳定工作性能。 | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.