Поиск аналогов электронных компонентов
FDP100N10
onsemiСША

FDP100N10

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-220-3

MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока75 A
Сопротивление в открытом состоянии10 mΩМакс. · 75A
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)208W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~175°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3
Другое
Base Product NumberFDP100
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7300 pF @ 25 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 75A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.