VBsemi(微碧半导体)Китай
FDP100N10-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO220；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока100 A
Сопротивление в открытом состоянии9 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 250W |