搜索结果：FDP100N10
共 5 条- 匹配型号5
- 有数据手册3
- 涉及品牌4
产品搜索结果共 5 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 单 FET，MOSFET | MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 查看详情 | ||||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | TO220；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V； | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，其导通电阻（RDS(ON)）典型值为8.5毫欧。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于高电流、高频率的开关应用，如电源管理模块、电机控制电路及各类高效能电力电子转换系统，能够在严苛电气条件下保持稳定工作性能。 | 数据手册1 | 查看详情 |
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