Результаты поиска:Si7309DN
Найдено: 10- С даташитом7
- Производителей6
Результаты поискаВсего: 10
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Single FETs, MOSFETs | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит9 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | P沟道,-60V,-8A,0.115Ω@-10V | Даташит3 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8 | |||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит3 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 此款SI7309DN-T1-E3-MS场效应管为P沟道，采用DFN3X3-8L封装实现紧凑结构与强劲性能；60V VDSS、15A 连续电流适配高电压中等电流场景，70mΩ 低 RD (on) 减少能量损耗、提升效率，凭借优异电气性能与可靠品质，成为电源转换、马达驱动等严苛应用的理想半导体方案。 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | SI7309DN-T1-E3 是一款采用DFN3X3-8L封装工艺的P沟道MOSFET，结构紧凑且性能强劲。该器件支持高达60V的工作电压VDSS，能有效处理15A连续电流，适应多种高电压、中等电流应用环境。特别值得关注的是其70mΩ的低导通电阻RD(on)，有助于减少系统能量损耗并提升工作效率。无论是用于电源转换、马达驱动还是其他要求严格的应用场合，SI7309DN-T1-E3 都将凭借出色电气性能及可靠品质，成为您的理想半导体解决方案。 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-60V；-36A；RDS(ON)=210mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-2.5V； | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.