VBsemi(微碧半导体)Китай
SI7309DN-T1-GE3-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleDFN8(3X3)；P—Channel沟道,-60V；-36A；RDS(ON)=210mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока36 A
Сопротивление в открытом состоянии28.8 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 36A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28.8mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 22W |