搜索结果：Si7309DN
共 10 条- 匹配型号10
- 有数据手册7
- 涉及品牌6
产品搜索结果共 10 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 单 FET，MOSFET | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 数据手册9 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | P沟道,-60V,-8A,0.115Ω@-10V | 数据手册3 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8 | 查看详情 | |||||
| 单 FET，MOSFET | MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 数据手册3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 此款SI7309DN-T1-E3-MS场效应管为P沟道，采用DFN3X3-8L封装实现紧凑结构与强劲性能；60V VDSS、15A 连续电流适配高电压中等电流场景，70mΩ 低 RD (on) 减少能量损耗、提升效率，凭借优异电气性能与可靠品质，成为电源转换、马达驱动等严苛应用的理想半导体方案。 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | SI7309DN-T1-E3 是一款采用DFN3X3-8L封装工艺的P沟道MOSFET，结构紧凑且性能强劲。该器件支持高达60V的工作电压VDSS，能有效处理15A连续电流，适应多种高电压、中等电流应用环境。特别值得关注的是其70mΩ的低导通电阻RD(on)，有助于减少系统能量损耗并提升工作效率。无论是用于电源转换、马达驱动还是其他要求严格的应用场合，SI7309DN-T1-E3 都将凭借出色电气性能及可靠品质，成为您的理想半导体解决方案。 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-60V；-36A；RDS(ON)=210mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-2.5V； | 数据手册1 | 查看详情 |
第 1–10 条，共 10 条
没找到想要的型号？
让 AI 帮你联网查找，或者直接告诉客服。
申请芯片样品
填写型号和样品需求，供样安排确认后会联系你。