Результаты поиска:IRLR7843

IRLR7843 is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 30 V, RDS (on) max: 3.3 mOhm, Package: DPAK (TO-252), Technology: IR MOSFET™, ID max: 161 A

MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

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MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

N管/30V/150A/3.3mΩ(典型2.5mΩ)

HEXFET POWER MOSFET

MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

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N沟道，30V，95A，2.9mΩ@10.0V,30A，1.5V@250μA；用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。

该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达120A，专为高功率、大电流应用场景设计，如电源转换器和电机控制器，提供卓越的开关性能与低损耗优势。

便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；