Результаты поиска:IRF3710S

Найдено: 15

С даташитом10
Производителей6

Результаты поискаВсего: 15

Сравнить	Партномер	Производитель	Категория	Описание	Документы	Аналоги
	IRF3710S				Даташит5
	IRF3710SPBF		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK	Даташит2
	IRF3710STRR		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK	Даташит2
	IRF3710STRRPBF		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK	Даташит2
	IRF3710STR		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@10V,28A	Даташит1
	IRF3710SPBF		Single FETs, MOSFETs	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
	IRF3710STRR		Single FETs, MOSFETs	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
	IRF3710STRLPBF		Single FETs, MOSFETs	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
	IRF3710STRLPBF		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK	Даташит2
	IRF3710STRRPBF		Single FETs, MOSFETs	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
	IRF3710STRL(UMW)		Transistors - FETs, MOSFETs - Single		Даташит3
	IRF3710STRPBF-VB		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于电机驱动器、电源模块、焊接设备等领域。TO263；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；	Даташит1
	IRF3710STRLPBF-VB		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于电机驱动器、电源模块、焊接设备等领域。	Даташит1
	IRF3710STRPBF-JSM		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。	Даташит8
	IRF3710STRRPBF-IR		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Не нашли нужный компонент?

ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.