Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道,100V;70A;RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;是一款单极性N型MOSFET,采用Trench工艺,适用于电机驱动器、电源模块、焊接设备等领域。

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока70 A
Сопротивление в открытом состоянии20 mΩМакс. · 10V
Питание
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)70A
Другое
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.1W

Документы