搜索结果：IRF3710S

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产品搜索结果共 15 条

对比	产品型号	品牌	分类	产品描述	技术资料	替代	操作
	IRF3710S				数据手册5		查看详情
	IRF3710SPBF		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK	数据手册2		查看详情
	IRF3710STRR		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK	数据手册2		查看详情
	IRF3710STRRPBF		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK	数据手册2		查看详情
	IRF3710STR		晶体管 - FET，MOSFET - 单	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@10V,28A	数据手册1		查看详情
	IRF3710SPBF		单 FET，MOSFET	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK			查看详情
	IRF3710STRR		单 FET，MOSFET	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK			查看详情
	IRF3710STRLPBF		单 FET，MOSFET	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK			查看详情
	IRF3710STRLPBF		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK	数据手册2		查看详情
	IRF3710STRRPBF		单 FET，MOSFET	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK			查看详情
	IRF3710STRL(UMW)		晶体管 - FET，MOSFET - 单		数据手册3		查看详情
	IRF3710STRPBF-VB		晶体管 - FET，MOSFET - 单	台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于电机驱动器、电源模块、焊接设备等领域。TO263；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；	数据手册1		查看详情
	IRF3710STRLPBF-VB		晶体管 - FET，MOSFET - 单	台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于电机驱动器、电源模块、焊接设备等领域。	数据手册1		查看详情
	IRF3710STRPBF-JSM		晶体管 - FET，MOSFET - 单	采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。	数据手册8		查看详情
	IRF3710STRRPBF-IR		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK			查看详情

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