PIN CONFIGURATIONS (TOP VIEW) — Источник: Даташит, с. 1

TLP521-1

4-pin DIP

Toshiba TLP521-1 — оптопары на основе GaAs инфракрасного светодиода и фототранзистора с напряжением изоляции 2500Vrms, напряжением коллектор-эмиттер 55V, в корпусе DIP-4, предназначенная для общего коммерческого применения.Проверено по даташиту

Подобрать аналог Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 15

Параметр	Значение и условия измерения	Источник
Корпус	4-pin DIP (JEDEC 11-5B2)
Рабочая температура	-25°C to 85°C
Напряжение изоляции	2500Vrms (Min.)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	55V (Min.) at $I_C=0.5mA$
Напряжение пробоя эмиттер-коллектор	7V (Min.) at $I_E=0.1mA$
Прямое напряжение	1.0V (Min.) / 1.15V (Typ.) / 1.3V (Max.) at $I_F=10mA$
Обратный ток	10μA (Max.) at $V_R=5V$
Темновой ток коллектора	10nA (Typ.) / 100nA (Max.) at $V_{CE}=24V, Ta=25°C$; 2μA (Typ.) / 50μA (Max.) at $V_{CE}=24V, Ta=85°C$
Коэффициент передачи тока	50% (Min.) / 600% (Max.) at $I_F=5mA, V_{CE}=5V$ Rank GB
Насыщенный коэффициент передачи тока	60% (Typ.) at $I_F=1mA, V_{CE}=0.4V$ Rank GB
Насыщенное напряжение коллектор-эмиттер	0.4V (Max.) at $I_C=2.4mA, I_F=8mA$
Рекомендуемое напряжение питания	5V (Typ.) / 24V (Max.)
Рекомендуемый прямой ток	16mA (Typ.) / 20mA (Max.)
Рекомендуемый ток коллектора	1mA (Typ.) / 10mA (Max.)
Сертификация UL	UL1577, File No. E67349

Все параметры (4)РазвернутьСвернуть

Характеристики по постоянному и переменному току
共模抑制比	NKV/us
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1	DIP
Другое
引脚数量1	4
最大数据速率	NMbps

Распиновка и корпус

Вывод	Название	Назначение	Источник
1		АНОД
2		КАТОД
3		ЭМИТТЕР
4		КОЛЛЕКТОР

Изображения

Документы

DatasheetDatasheet · 395.1 KB · 2026-11-03

Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.