PIN CONFIGURATIONS (TOP VIEW)

Toshiba Semiconductor and Storage日本

TLP521-1

4-pin DIP

Toshiba TLP521-1 是一款 GaAs 红外发光二极管与光电晶体管耦合的光耦，隔离电压 2500Vrms，集电极-发射极电压 55V，采用 4 引脚 DIP 封装，适用于通用商业应用。规格书核对

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技术参数

规格书核对参数

15 项

参数	值和测试条件	出处
封装	4-pin DIP (JEDEC 11-5B2)
工作温度	-25°C to 85°C
隔离电压	2500Vrms (Min.)
集电极-发射极击穿电压	55V (Min.) at $I_C=0.5mA$
发射极-集电极击穿电压	7V (Min.) at $I_E=0.1mA$
正向电压	1.0V (Min.) / 1.15V (Typ.) / 1.3V (Max.) at $I_F=10mA$
反向电流	10μA (Max.) at $V_R=5V$
集电极暗电流	10nA (Typ.) / 100nA (Max.) at $V_{CE}=24V, Ta=25°C$; 2μA (Typ.) / 50μA (Max.) at $V_{CE}=24V, Ta=85°C$
电流传输比	50% (Min.) / 600% (Max.) at $I_F=5mA, V_{CE}=5V$ Rank GB
饱和电流传输比	60% (Typ.) at $I_F=1mA, V_{CE}=0.4V$ Rank GB
集电极-发射极饱和电压	0.4V (Max.) at $I_C=2.4mA, I_F=8mA$
推荐供电电压	5V (Typ.) / 24V (Max.)
推荐正向电流	16mA (Typ.) / 20mA (Max.)
推荐集电极电流	1mA (Typ.) / 10mA (Max.)
UL 认证	UL1577, File No. E67349

全部参数（4 项）展开收起

交流 / 直流特性
共模抑制比	NKV/us
环境与封装
封装类型1	DIP
其他
引脚数量1	4
最大数据速率	NMbps

引脚与封装

PIN CONFIGURATIONS (TOP VIEW) — 封装：4-pin DIP (JEDEC 11-5B2)

脚位	名称	功能	出处
1		阳极 (ANODE)
2		阴极 (CATHODE)
3		发射极 (EMITTER)
4		集电极 (COLLECTOR)

器件图片

技术资料

数据手册数据手册 · 395.1 KB · 2026-11-03

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规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。