minos(迈诺斯)Китай
MPT016N10-T
Transistors - FETs, MOSFETs - Single漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):325A 导通电阻(RDS(on)):1.3mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока325 A
Сопротивление в открытом состоянии1.3 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 325A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.