MPT016N10-T
晶体管 - FET，MOSFET - 单漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):325A 导通电阻(RDS(on)):1.3mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流325 A
导通电阻1.3 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流325 A
导通电阻1.3 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 325A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
技术资料
该型号暂未收录资料。