IRLR7843TRPBF&-2-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单TO252；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流120 A
导通电阻2.3 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流120 A
导通电阻2.3 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V,38.8A |
| 数量 | 1个N沟道 |