Поиск аналогов электронных компонентов

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-223

IRLL110 — N-канальный логический HEXFET силовой MOSFET от International Rectifier, с напряжением пробоя 100В, непрерывным током стока 1,5А, максимальным сопротивлением в открытом состоянии 0,54 Ом, в корпусе SOT-223, с поддержкой быстрого переключения и повторяющихся лавинных режимов.Проверено по даташиту

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 2. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 VVGS = 0V,ID = 250μA
Постоянный ток стока1.5 ATc = 25°C,VGS = 5.0 V
Сопротивление в открытом состоянии540 mΩМакс. · VGS = 5.0V,ID = 0.90A,VGS = 4.0V,ID = 0.75A
Пороговое напряжение2 VМакс. · VDS = VGS,ID = 250μA

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 25
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
КаналN-Channel
Напряжение пробоя сток-истокMin 100 V, VGS = 0V, ID = 250μA
Непрерывный ток стокаMax 1.5 A @ Tc = 25°C, VGS = 5.0 V
Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянииMax 0.54 Ω @ VGS = 5.0V, ID = 0.90A; Max 0.76 Ω @ VGS = 4.0V, ID = 0.75A
Пороговое напряжение затвораMin 1.0 V, Max 2.0 V @ VDS = VGS, ID = 250μA
КорпусSOT-223
Диапазон температур перехода и хранения-55 to +150 °C
Импульсный ток стокаMax 12 A
Диссипативная мощностьMax 3.1 W @ Tc = 25°C
Напряжение затвор-истокMax -/+10 V
Энергия одиночного импульса лавинного пробояMax 50 mJ
Лавинный токMax 1.5 A
Повторяющаяся энергия лавинного пробояMax 0.31 mJ
Пиковое dv/dt восстановления диодаMax 5.5 V/ns
Тепловое сопротивление переход-PCBMax 40 °C/W
Тепловое сопротивление переход-окружающая средаMax 60 °C/W (PCB Mount)
Прямая передаточная проводимостьMin 0.57 S @ VDS = 25V, ID = 0.90 A
Ток утечки сток-истокMax 25 μA @ VDS = 100V, VGS = 0V; Max 250 μA @ VDS = 80V, VGS = 0V, TJ = 125°C
Прямой ток утечки затвор-истокMax 100 nA @ VGS = 10V
Полный заряд затвораMax 6.1 nC @ ID = 5.6A
Входная емкостьTyp 250 pF @ VGS = 0V
Выходная емкостьTyp 80 pF @ VDS = 25V
Обратная емкость передачиTyp 15 pF @ f = 1.0MHz
Время задержки включенияTyp 9.3 ns @ VDD = 50V
Время задержки выключенияTyp 16 ns @ RG = 12Ω
Все параметры (7)РазвернутьСвернуть
Условия эксплуатации и корпус
PackageSOT-223
Другое
I_{D} @ Tc = 25°C1.5 A (Max)
P_{D} @Tc = 25°C3.1 W (Max)
R_{DS(on)}0.54 Ω (Max)
T_{J}, T_{STG}-55 to +150 °C
V_{DSS}100V
V_{GS(th)}1.0 V (Min)

Документы

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.