MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-223
IRLL110 是 International Rectifier 生产的 N 沟道逻辑电平 HEXFET 功率 MOSFET，耐压 100V，连续漏极电流 1.5A，导通电阻最大 0.54Ω，采用 SOT-223 封装，支持快速开关和重复规格书核对
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流1.5 A
导通电阻540 mΩ
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技术参数
沟道N 沟道
耐压100 VVGS = 0V，ID = 250μA
连续漏极电流1.5 ATc = 25°C，VGS = 5.0 V
导通电阻540 mΩ最大 · VGS = 5.0V，ID = 0.90A，VGS = 4.0V，ID = 0.75A
阈值电压2 V最大 · VDS = VGS，ID = 250μA
规格书核对参数
25 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 沟道 | N-Channel | |
| 耐压 | Min 100 V, VGS = 0V, ID = 250μA | |
| 连续漏极电流 | Max 1.5 A @ Tc = 25°C, VGS = 5.0 V | |
| 导通电阻 | Max 0.54 Ω @ VGS = 5.0V, ID = 0.90A; Max 0.76 Ω @ VGS = 4.0V, ID = 0.75A | |
| 阈值电压 | Min 1.0 V, Max 2.0 V @ VDS = VGS, ID = 250μA | |
| 封装 | SOT-223 |
全部参数（7 项）
| 环境与封装 | |
|---|---|
| Package | SOT-223 |
| 其他 | |
| I_{D} @ Tc = 25°C | 1.5 A (Max) |
| P_{D} @Tc = 25°C | 3.1 W (Max) |
| R_{DS(on)} | 0.54 Ω (Max) |
| T_{J}, T_{STG} | -55 to +150 °C |
| V_{DSS} | 100V |
| V_{GS(th)} | 1.0 V (Min) |
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。