Поиск аналогов электронных компонентов

IRF7832TRPBF

Single FETs, MOSFETsSO-8

IC MOSFET N-CH 30V 20A SOIC-8

30V N-канальный HEXFET силовой MOSFET в корпусе SO-8, 20А непрерывный ток стока, 4.0мОм макс. сопротивление канала, промышленный класс, соответствует RoHS и Halogen-Free.Проверено по даташиту

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока20 ATA = 25°C,VGS = 10V
Сопротивление в открытом состоянии4 mΩМакс. · VGS = 10V

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 16
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
КаналN-Channel
Напряжение сток-истокMax 30 V
Непрерывный ток стокаMax 20 A @ TA = 25°C, VGS = 10V
Сопротивление каналаMax 4.0 mΩ @ VGS = 10V
КорпусSO-8
Диапазон рабочих и температур хранения-55 to +155 °C
Уровень квалификацииIndustrial (per JEDEC JESD47F guidelines)
Соответствие RoHSYes
Без галогеновYes
Напряжение затвор-истокMax ±20 V
Импульсный ток стокаMax 160 A
Мощность рассеиванияMax 2.5 W @ TA = 25°C
Заряд затвораTyp 34 nC
Тепловое сопротивление переход-вывод стокаMax 20 °C/W
Тепловое сопротивление переход-средаMax 50 °C/W
Уровень чувствительности к влагеMSL1 (per JEDEC J-STD-020D)
Все параметры (6)РазвернутьСвернуть
Условия эксплуатации и корпус
Package TypeSO-8
Другое
ID (@ TA =25°C)20 A
Qg (typical)34 nC
RDS(on) max (@ VGS =10V)4.0 mΩ
TJ-55 to +155 °C
VDS30 V

Распиновка и корпус

КорпусSO-8

ВыводНазваниеНазначениеИсточник
1Исток
2Исток
3Исток
4Затвор
5Сток
6Сток
7Сток
8Сток

Документы

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.