IC MOSFET N-CH 30V 20A SOIC-8
30V N沟道HEXFET功率MOSFET，SO-8封装，20A连续漏极电流，4.0mΩ最大导通电阻，工业级，RoHS及无卤素合规。规格书核对
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流20 A
导通电阻4 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流20 ATA = 25°C，VGS = 10V
导通电阻4 mΩ最大 · VGS = 10V
规格书核对参数
16 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 沟道 | N-Channel | |
| 耐压 | Max 30 V | |
| 连续漏极电流 | Max 20 A @ TA = 25°C, VGS = 10V | |
| 导通电阻 | Max 4.0 mΩ @ VGS = 10V | |
| 封装 | SO-8 | |
| 工作温度 | -55 to +155 °C |
全部参数（6 项）
| 环境与封装 | |
|---|---|
| Package Type | SO-8 |
| 其他 | |
| ID (@ TA =25°C) | 20 A |
| Qg (typical) | 34 nC |
| RDS(on) max (@ VGS =10V) | 4.0 mΩ |
| TJ | -55 to +155 °C |
| VDS | 30 V |
引脚与封装
封装SO-8
| 脚位 | 名称 | 功能 | 出处 |
|---|---|---|---|
| 1 | 源极 (Source) | ||
| 2 | 源极 (Source) | ||
| 3 | 源极 (Source) | ||
| 4 | 栅极 (Gate) | ||
| 5 | 漏极 (Drain) | ||
| 6 | 漏极 (Drain) | ||
| 7 | 漏极 (Drain) | ||
| 8 | 漏极 (Drain) |
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。