HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
IRF540N-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single该款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装，专为100V电压下大电流应用设计。额定连续电流33A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有出色的低导通电阻与高效散热性能，是现代电子产品实现高效率功率控制的理想半导体组件。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока33 A
Сопротивление в открытом состоянии30 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 33A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,15A |
| 数量 | 1个N沟道 |