IRF540N-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单该款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装，专为100V电压下大电流应用设计。额定连续电流33A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有出色的低导通电阻与高效散热性能，是现代电子产品实现高效率功率控制的理想半导体组件。
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流33 A
导通电阻30 mΩ
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流33 A
导通电阻30 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 33A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,15A |
| 数量 | 1个N沟道 |