HXY MOSFET(华轩阳电子)China
IRF540N-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single该款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装，专为100V电压下大电流应用设计。额定连续电流33A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有出色的低导通电阻与高效散热性能，是现代电子产品实现高效率功率控制的理想半导体组件。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage100 V
Continuous drain current33 A
On-resistance30 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 33A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,15A |
| 数量 | 1个N沟道 |