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IC MOSFET P-CH 30V 5.4A SOT-23

MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23

MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23

MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23

MOSFET P-CH 30V 5.6A SOT-23

适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

此款SOT-23封装P沟道消费级MOSFET，专为高效能、中等电流应用设计。额定电压30V，具备4.1A连续电流处理能力，广泛应用于电源转换、负载开关以及便携式电子设备的功率控制模块，提供低导通电阻和卓越的热性能，是现代电子产品不可或缺的核心半导体元件。