VBsemi(微碧半导体)中国

IRLML9301TR-VB

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.4 A

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.4 A
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.4A
其他
数量1个P沟道
耗散功率(Pd)1.6W

技术资料

数据手册数据手册 · 240.2 KB · 2026-09-21
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