IRLML9301TR-JSM
晶体管 - FET，MOSFET - 单适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4.3 A
导通电阻52 mΩ
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4.3 A
导通电阻52 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V,4.3A |
| 数量 | 1个P沟道 |