UMW马来西亚

IRLML9301TR

MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23

UMW IRLML9301TR 是一款 -30V P沟道 MOSFET，采用 SOT-23 封装，导通电阻典型值 51mΩ (VGS=-10V)，适用于负载开关应用。规格书核对

沟道P 沟道

耐压-30 V

连续漏极电流-3.6 A

导通电阻64 mΩ

全部替代型号

沟道P 沟道

耐压-30 VMin: -30 V (ID=-250μA，VGS=0V)

连续漏极电流-3.6 AMax: -3.6 A (VGS=-10V，TA=25°C)，Max: -2.9 A (VGS=-10V，TA=70°C)

导通电阻64 mΩ最大 · Max: 64 mΩ (VGS=-10V，ID=-3.6A)，Max: 80 mΩ (VGS=-4.5V，ID=-2.9A)

阈值电压-2.4 V最大 · Max: -2.4 V (VDS=VGS，ID=-10μA)

20 项

参数	值和测试条件	出处
沟道	P-Channel
耐压	Min: -30 V (ID=-250μA, VGS=0V)
连续漏极电流	Max: -3.6 A (VGS=-10V, TA=25°C); Max: -2.9 A (VGS=-10V, TA=70°C)
导通电阻	Typ: 51 mΩ, Max: 64 mΩ (VGS=-10V, ID=-3.6A); Typ: 60 mΩ, Max: 80 mΩ (VGS=-4.5V, ID=-2.9A)
阈值电压	Min: -1.3 V, Max: -2.4 V (VDS=VGS, ID=-10μA)
封装	SOT-23
工作温度	-55 to 150 °C
RoHS	Environmentally friendly
脉冲漏极电流	Max: -15 A
最大耗散功率	Max: 1.3 W (TA=25°C); Max: 0.8 W (TA=70°C)
栅源电压	Max: ±20 V
漏源漏电流	Max: 1 μA (VDS=-24V, VGS=0V); Max: 150 μA (VDS=-24V, VGS=0V, TJ=125°C)
栅源正向漏电流	Max: -100 nA (VGS=-20V)
内部栅极电阻	Typ: 12 Ω
正向跨导	Min: 5 S (VDS=-10V, ID=-3.6A)
总栅极电荷	Typ: 4.8 nC (VDS=-15V, VGS=-4.5V, ID=-3.6A)
输入电容	Typ: 388 pF (VGS=0V, VDS=-25V, f=1KHz)
输出电容	Typ: 93 pF (VGS=0V, VDS=-25V, f=1KHz)
连续源极电流	Max: -1.3 A
二极管正向电压	Max: -1.2 V (TJ=25°C, IS=-1.3A, VGS=0V)

全部参数（7 项）展开收起

电源
Continuous Drain Current, $V_{GS}$ @ 10V	-3.6 A
Drain-Source Voltage	-30 V
Gate Threshold Voltage	-1.3 V (Min)
Maximum Power Dissipation	1.3 W
环境与封装
Junction and Storage Temperature Range	-55 to 150 °C
Package	SOT-23
其他
Static Drain-to-Source On-Resistance	64 mΩ (Max)

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。