HL(富海微)

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

沟槽;1个P沟道;VDSS:-40V;ID:-4.5A;VGS:±16V;VTH:-0.9V;RDS(ON):32mΩ;PD:0.9W

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电压基准

输出电压:ADJ(2.5~36V)/输出电流:150mA/精度:±0.5%

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

沟槽;1个N+P沟道;VDSS:40V/-40V;ID:30A/-30A;VGS:±20V;VTH:1.6V/-2.5V;RDS(ON):13.5mΩ/25mΩ;PD:25W/35W

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

沟槽;1个N沟道;VDSS:30V;ID:7A;VGS:±20V;VTH:1.5V;RDS(ON):11.8mΩ;PD:2W

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

沟槽;1个P沟道;VDSS:-40V;ID:-5A;VGS:±20V;VTH:-1.6V;RDS(ON):45mΩ;PD:2W

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单 FET,MOSFET

SiC;1个N沟道;VDSS:1200V;ID:150A;VGS:-4~22V;VTH:3.5V;RDS(ON):12mΩ;PD:675W

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单 FET,MOSFET

SiC;1个N沟道;VDSS:800V;ID:8.7A;VGS:±22V;VTH:2.6V;RDS(ON):360mΩ;PD:28W

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单 FET,MOSFET

SiC;1个N沟道;VDSS:800V;ID:6A;VGS:±22V;VTH:3.2V;RDS(ON):560mΩ;PD:21W

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

沟槽;2个N沟道;VDSS:100V;ID:8A;VGS:±20V;VTH:1.5V;RDS(ON):88mΩ;PD:5W

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

沟槽;2个N沟道;VDSS:30V;ID:9.5A;VGS:±20V;VTH:1.5V;RDS(ON):20mΩ;PD:2.8W

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AC-DC 转换器、离线开关

驱动SiC/PFC/驱动能力HS/LS:200mA/400mA

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

沟槽;P沟道;耐压:-60V;电流:-170mA

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

SGT;P沟道;耐压:-100V;电流:-80A

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

沟槽;1个P沟道;VDSS:-100V;ID:-40A;VGS:±20V;VTH:-2V;RDS(ON):31mΩ;PD:111W

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

4N15L/沟槽/Single N/150V/4A/245mΩ

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

SGT;1个P沟道;VDSS:-100V;ID:-80A;VGS:±20V;VTH:-3V;RDS(ON):22mΩ;PD:250W

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AC-DC 转换器、离线开关

驱动SiC/原边反馈/130KHz/6级能效/36W

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

SGT;1个N沟道;VDSS:100V;ID:300A;VGS:±20V;VTH:3V;RDS(ON):2mΩ;PD:379W

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

沟槽;2个N沟道;VDSS:60V;ID:200mA;VGS:±20V;VTH:2.5V;RDS(ON):1.6mΩ;PD:0.38W

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

沟槽;1个P沟道;VDSS:-19V;ID:-16A;VGS:±12V;VTH:-0.7V;RDS(ON):12.4mΩ;PD:2.1W

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