HL(富海微)中国

HLC800R60RF

单 FET，MOSFET

SiC;1个N沟道;VDSS:800V;ID:6A;VGS:±22V;VTH:3.2V;RDS(ON):560mΩ;PD：21W

查看国产替代问 AI FAE

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

该型号暂未提供技术参数。

技术资料

该型号暂未收录资料。