HL(富海微)中国

BSS84

晶体管 - FET，MOSFET - 单

沟槽；P沟道；耐压:-60V；电流:-170mA

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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流170 mA
导通电阻3.2 Ω

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技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流170 mA
导通电阻3.2 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)170mA
其他
导通电阻(RDS(on))3.2Ω@10V
数量1个P沟道

技术资料

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