HL(富海微)中国
HLS80P10H
晶体管 - FET，MOSFET - 单SGT;1个P沟道;VDSS:-100V;ID:-80A;VGS:±20V;VTH:-3V;RDS(ON):22mΩ;PD：250W
沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流80 A
导通电阻22 mΩ
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沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流80 A
导通电阻22 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |
技术资料
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