Результаты поиска:IRLR3636TRPBF
Найдено: 7- С даташитом7
- Производителей6
Результаты поискаВсего: 7
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | IRLR3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO | Даташит1 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备强大的电流处理能力，其最大连续漏极电流ID可达80A，适用于高负载场景。该器件支持最高60V的漏源电压VDSS，并且拥有仅为6mΩ的低导通电阻RDON，有效降低了工作时的能量损耗。栅源电压VGS为20V，确保了良好的驱动性能。由于其优异的电气特性，这款MOSFET非常适合应用于需要高效开关控制的各种电子设备中，如电源转换器、电池管理系统等，能够显著提升系统的整体效率与稳定性。 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | IRLR3636TRPBF-TP | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,60V；97A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V； | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | IRLR3636TRPBF-JSM | Даташит5 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.