搜索结果：IRLR3636TRPBF

共 7 条

匹配型号7
有数据手册7
涉及品牌6

产品搜索结果共 7 条

对比	产品型号	品牌	分类	产品描述	技术资料	替代	操作
	IRLR3636TRPBF		单 FET，MOSFET	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK	数据手册2		查看详情
	IRLR3636TRPBF		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK	数据手册2		查看详情
	IRLR3636TRPBF		晶体管 - FET，MOSFET - 单	IRLR3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO	数据手册1		查看详情
	IRLR3636TRPBF		单 FET，MOSFET	这款N沟道场效应管（MOSFET）具备强大的电流处理能力，其最大连续漏极电流ID可达80A，适用于高负载场景。该器件支持最高60V的漏源电压VDSS，并且拥有仅为6mΩ的低导通电阻RDON，有效降低了工作时的能量损耗。栅源电压VGS为20V，确保了良好的驱动性能。由于其优异的电气特性，这款MOSFET非常适合应用于需要高效开关控制的各种电子设备中，如电源转换器、电池管理系统等，能够显著提升系统的整体效率与稳定性。	数据手册1		查看详情
	IRLR3636TRPBF-TP		晶体管 - FET，MOSFET - 单	IRLR3636TRPBF-TP	数据手册1		查看详情
	IRLR3636TRPBF-VB		晶体管 - FET，MOSFET - 单	台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,60V；97A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；	数据手册1		查看详情
	IRLR3636TRPBF-JSM		晶体管 - FET，MOSFET - 单	IRLR3636TRPBF-JSM	数据手册5		查看详情

型号对比

+ 勾选添加
+ 勾选添加

已选 0 个，最多 2 个

第 1–7 条，共 7 条

没找到想要的型号？

让 AI 帮你联网查找，或者直接告诉客服。

申请芯片样品

填写型号和样品需求，供样安排确认后会联系你。