Поиск аналогов электронных компонентов

Результаты поиска:IRLR3636PBF

Найдено: 4
  • С даташитом4
  • Производителей3

Результаты поискаВсего: 4

СравнитьПартномерПроизводительКатегорияОписаниеДокументыАналоги
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

Даташит2
Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

IRLR3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

IRLR3636PbF 是一款高端N沟道MOSFET,采用行业标准的TO-252-2L封装,旨在满足现代高效能电子设备的需求。该器件工作电压高达60V(VDSS),可承载持续的漏极电流达80A(ID),且在导通状态下展现卓越的低电阻特性,仅6.5mΩ(RD(on)),有效降低了功率损耗,提升了系统效能。凭借其强大稳定性和广泛的适用范围,IRLR3636PbF 非常适合应用于开关电源、马达驱动、电池保护等领域,是打造高性能、低能耗电子系统的优选组件。

Даташит2

Не нашли нужный компонент?

ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.