Результаты поиска:IRLR3636PBF
Найдено: 4- С даташитом4
- Производителей3
Результаты поискаВсего: 4
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | Даташит2 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | IRLR3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | IRLR3636PbF 是一款高端N沟道MOSFET,采用行业标准的TO-252-2L封装,旨在满足现代高效能电子设备的需求。该器件工作电压高达60V(VDSS),可承载持续的漏极电流达80A(ID),且在导通状态下展现卓越的低电阻特性,仅6.5mΩ(RD(on)),有效降低了功率损耗,提升了系统效能。凭借其强大稳定性和广泛的适用范围,IRLR3636PbF 非常适合应用于开关电源、马达驱动、电池保护等领域,是打造高性能、低能耗电子系统的优选组件。 | Даташит2 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.