搜索结果:IRLR3636PBF
共 4 条- 匹配型号4
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- 涉及品牌3
产品搜索结果共 4 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | IRLR3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | IRLR3636PbF 是一款高端N沟道MOSFET,采用行业标准的TO-252-2L封装,旨在满足现代高效能电子设备的需求。该器件工作电压高达60V(VDSS),可承载持续的漏极电流达80A(ID),且在导通状态下展现卓越的低电阻特性,仅6.5mΩ(RD(on)),有效降低了功率损耗,提升了系统效能。凭借其强大稳定性和广泛的适用范围,IRLR3636PbF 非常适合应用于开关电源、马达驱动、电池保护等领域,是打造高性能、低能耗电子系统的优选组件。 | 数据手册2 | 查看详情 |
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