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MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB

MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB

N沟道,电流33A.耐压100V，导通电阻：35mΩ

这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有33A的连续漏极电流（ID）能力，并且能够在高达100V的漏源电压（VDSS）环境下稳定工作。其导通电阻（RDSON）仅为30毫欧，在20V的栅源电压（VGS）条件下，有效降低了能量损耗。适用于多种场合，如家用电器中的电源管理，个人电子产品的电池充电电路，以及数字设备中的负载开关应用，均能发挥其高效节能的优势。

N沟道，100V，18A，37mΩ@10V,10A，1.5V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用，高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO220；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。