Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道功率MOSFET,采用Trench工艺制造,具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用,高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO220;N—Channel沟道,100V;55A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока55 A
Сопротивление в открытом состоянии36 mΩМакс. · 10V
Питание
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)55A
Другое
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V
数量1个N沟道

Документы