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IRF540N is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 100 V, RDS (on) max: 44 mOhm, Package: TO-220, Technology: IR MOSFET™, ID max: 33 A

100V N沟道功率MOSFET,电流:35A,耐压:100V

MOSFET N-CH 100V 33A TO262

MOSFET N-CH 100V 33A TO262

MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

1个N沟道 耐压:100V 电流:33A 停产

MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB

N沟道,电流33A.耐压100V，导通电阻：35mΩ

这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有33A的连续漏极电流（ID）能力，并且能够在高达100V的漏源电压（VDSS）环境下稳定工作。其导通电阻（RDSON）仅为30毫欧，在20V的栅源电压（VGS）条件下，有效降低了能量损耗。适用于多种场合，如家用电器中的电源管理，个人电子产品的电池充电电路，以及数字设备中的负载开关应用，均能发挥其高效节能的优势。

该款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装，专为100V电压下大电流应用设计。额定连续电流33A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有出色的低导通电阻与高效散热性能，是现代电子产品实现高效率功率控制的理想半导体组件。