Результаты поиска:IRF3710Z

Найдено: 15

С даташитом14
Производителей4

Результаты поискаВсего: 15

Сравнить	Партномер	Производитель	Категория	Описание	Документы	Аналоги
	IRF3710Z		Single FETs, MOSFETs	IRF3710Z is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 100 V, RDS (on) max: 18 mOhm, Package: TO-220, Technology: IR MOSFET™, ID max: 59 A	Даташит5
	IRF3710ZPBF		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB	Даташит4
	IRF3710ZGPBF		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB	Даташит3
	IRF3710ZLPBF		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	MOSFET N-CH 100V 59A TO262	Даташит4
	IRF3710ZSPBF		Single FETs, MOSFETs	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK	Даташит1
	IRF3710ZSPBF		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK	Даташит4
	IRF3710ZSTRRPBF		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK	Даташит4
	IRF3710ZL				Даташит4
	IRF3710ZS		Single FETs, MOSFETs	IRF3710ZS is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 100 V, RDS (on) max: 18 mOhm, Package: D2PAK (TO-263), Technology: IR MOSFET™, ID max: 59 A	Даташит5
	IRF3710ZLPBF		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	HEXFET POWER MOSFET	Даташит1
	IRF3710ZSPBF		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	HEXFET POWER MOSFET	Даташит1
	IRF3710ZPBF-VB		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块，如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。TO220；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；	Даташит1
	IRF3710ZSTRLPBF		Single FETs, MOSFETs	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK	Даташит1
	IRF3710ZSTRLPBF		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK	Даташит3
	IRF3710ZSTRLPBF-JSM		Transistors - FETs, MOSFETs - Single	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mR @20A,10V

Не нашли нужный компонент?

ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.