搜索结果：IRF3710Z

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产品搜索结果共 15 条

对比	产品型号	品牌	分类	产品描述	技术资料	替代	操作
	IRF3710Z		单 FET，MOSFET	IRF3710Z is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 100 V, RDS (on) max: 18 mOhm, Package: TO-220, Technology: IR MOSFET™, ID max: 59 A	数据手册5		查看详情
	IRF3710ZPBF		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB	数据手册4		查看详情
	IRF3710ZGPBF		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB	数据手册3		查看详情
	IRF3710ZLPBF		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 100V 59A TO262	数据手册4		查看详情
	IRF3710ZSPBF		单 FET，MOSFET	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK	数据手册1		查看详情
	IRF3710ZSPBF		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK	数据手册4		查看详情
	IRF3710ZSTRRPBF		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK	数据手册4		查看详情
	IRF3710ZL				数据手册4		查看详情
	IRF3710ZS		单 FET，MOSFET	IRF3710ZS is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 100 V, RDS (on) max: 18 mOhm, Package: D2PAK (TO-263), Technology: IR MOSFET™, ID max: 59 A	数据手册5		查看详情
	IRF3710ZLPBF		晶体管 - FET，MOSFET - 单	HEXFET POWER MOSFET	数据手册1		查看详情
	IRF3710ZSPBF		晶体管 - FET，MOSFET - 单	HEXFET POWER MOSFET	数据手册1		查看详情
	IRF3710ZPBF-VB		晶体管 - FET，MOSFET - 单	台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块，如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。TO220；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；	数据手册1		查看详情
	IRF3710ZSTRLPBF		单 FET，MOSFET	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK	数据手册1		查看详情
	IRF3710ZSTRLPBF		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK	数据手册3		查看详情
	IRF3710ZSTRLPBF-JSM		晶体管 - FET，MOSFET - 单	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mR @20A,10V			查看详情

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