Результаты поиска:G2305
Найдено: 6- С даташитом5
- Производителей3
Результаты поискаВсего: 6
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Single FETs, MOSFETs | P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | P沟道 | Даташит3 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-20V@@连续漏极电流(Id)：-4.8A@@阈值电压(Vgs(th))：-0.45V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：35mΩ@4.5V 42mΩ@2.5V @@封装：SOT-23 | Даташит3 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V； | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.