搜索结果:G2305

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单 FET,MOSFET

P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

P沟道

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单 FET,MOSFET

MOSFET

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

类型:P沟道@@漏源电压(Vdss):-20V@@连续漏极电流(Id):-4.8A@@阈值电压(Vgs(th)):-0.45V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs:35mΩ@4.5V 42mΩ@2.5V @@封装:SOT-23

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

台积电流片,长电科技封装;是一种单路P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于各种不同的领域和模块,例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V;

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