搜索结果:G2305
共 6 条- 匹配型号6
- 有数据手册5
- 涉及品牌3
产品搜索结果共 6 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 单 FET,MOSFET | P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | P沟道 | 数据手册3 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 类型:P沟道@@漏源电压(Vdss):-20V@@连续漏极电流(Id):-4.8A@@阈值电压(Vgs(th)):-0.45V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs:35mΩ@4.5V 42mΩ@2.5V @@封装:SOT-23 | 数据手册3 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;是一种单路P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于各种不同的领域和模块,例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V; | 数据手册1 | 查看详情 |
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