Результаты поиска:APM2317
Найдено: 6- С даташитом5
- Производителей5
Результаты поискаВсего: 6
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Single FETs, MOSFETs | ||||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 适用于一般开关和低压电源电路、电流能力强、导通电阻低。 | Даташит7 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 1个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A | Даташит1 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备5A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为20V，导通电阻仅为30mΩ，在10V的栅源电压下能够确保良好的开关性能。适用于需要高效能、低损耗的电路设计中，如电源管理、信号切换等应用场景。其紧凑的设计和卓越的电气特性，使其成为众多电子项目中的理想选择。 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V； | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V； | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.