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适用于一般开关和低压电源电路、电流能力强、导通电阻低。

1个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A

这款P沟道场效应管（MOSFET）具备5A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为20V，导通电阻仅为30mΩ，在10V的栅源电压下能够确保良好的开关性能。适用于需要高效能、低损耗的电路设计中，如电源管理、信号切换等应用场景。其紧凑的设计和卓越的电气特性，使其成为众多电子项目中的理想选择。

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；