Результаты поиска:7P20
Найдено: 3- С даташитом3
- Производителей3
Результаты поискаВсего: 3
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 工艺:沟槽，类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-200，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-2～-4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):645，连续漏极电流ID(A):-7A | Даташит1 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | Даташит1 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | TO252；P—Channel沟道,-200V；-8.5A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；是一款采用Trench技术是一款单通道功率场效应晶体管，适用于需要高耐压、高效率的电源模块和驱动模块。 | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.